半导体集成电路装置

摘要

本发明题为半导体集成电路装置。将为封装件的应力缓和而涂敷的聚酰亚胺作为掩模选择性除去用于层叠所配置的熔丝元件（103）上的BPSG膜和金属布线的金属间层间绝缘膜、和再在其上设置的氮化硅膜，从而在熔丝元件的上方设置开口区域（108），以能够容易实施熔丝切断。在该开口区域的熔丝元件的部的两侧附近隔着一定间隔，在熔丝元件间设置狭缝（201），从而在激光切断时会容易吹走绝缘膜，并降低对处于熔丝元件下的元件分离绝缘膜的物理伤害，能够防止与硅衬底的导通。

主权项

一种半导体集成电路装置，其中包括：半导体衬底；元件分离绝缘膜，设在所述半导体衬底的表面；由多晶硅构成的多个熔丝元件，在所述元件分离绝缘膜之上隔开间隔而配置；绝缘膜，配置在所述熔丝元件上；层间绝缘膜，设在所述绝缘膜上；氮化硅膜，设在所述层间绝缘膜上；开口区域，设在所述熔丝元件的上方，除去了所述氮化硅膜及所述层间绝缘膜的一部分；以及凹部，设在所述开口区域下的所述层间绝缘膜的残余部，并在所述熔丝元件的熔丝中央部的两侧隔着一定间隔而配置。