一种针对YAG晶体的生长工艺

摘要

本发明公开了一种针对YAG晶体的生长工艺，包括以下步骤：步骤一、挑选无缺陷晶头，对装有YAG原料的电阻炉开始抽真空，然后向电阻炉内充入保护性气体，再升温化料；步骤二、预热晶头，备用；步骤三、待电阻炉内的YAG原料完全融化后，恒温均化3‑5h；步骤四、步骤三完成后，下降晶头与原料溶液接触并开始调温翻转，然后恒温；步骤五、步骤四完成后，开始提拉进行平界面等径生长；步骤六、待晶体生长至设定长度后停炉，提起晶体恒温保持0‑2h，然后随炉冷却至室温；步骤七、待晶体冷却至室温后，出炉取出晶体。本发明有效缩短了晶体生长周期，晶体的有效使用长度提高了约15%，有效控制了晶体位错缺陷产生，毛坯晶体为没有位错、散射等缺点的优等品。

主权项

一种针对YAG晶体的生长工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、挑选无缺陷晶头，对装有YAG原料的电阻炉开始抽真空，然后向电阻炉内充入保护性气体，再升温化料；步骤二、预热挑选的无缺陷晶头至1800‑1850℃，备用；步骤三、待电阻炉内的YAG原料完全融化后，恒温均化3‑5h；步骤四、步骤三完成后，下降晶头与原料溶液接触并开始调温翻转，然后恒温；步骤五、步骤四完成后，开始提拉进行平界面等径生长；步骤六、待晶体生长至设定长度后停炉，提起晶体恒温保持0‑2h，然后随炉冷却至室温；步骤七、待晶体冷却至室温后，出炉取出晶体。