背照式全局曝光像素单元结构及制造方法

摘要

本发明涉及一种背照式全局曝光像素单元结构及制造方法，像素单元结构包括位于上部的衬底和位于下部的介质结构，衬底中形成有多个光电二极管；介质结构中从上向下依次形成有传输管栅极多晶层、挡光块层和存储电容，挡光块层用于阻挡穿透所述光电二极管的光线。因此，本发明不仅可以避免入射光对信号存储电容中电荷信号的影响，增加存储电容的电容值，降低读出噪声，还可以增加像素单元中用于感光的光电二极管的面积，提高全局曝光像素单元的灵敏度，使图像传感器最终能得到高质量的图像。

主权项

一种背照式全局曝光像素单元结构，其特征在于，像素单元结构包括位于上部的衬底和位于下部的介质结构，所述衬底中形成有多个光电二极管；所述介质结构中从上向下依次形成有传输管栅极多晶层、挡光块层和存储电容，所述挡光块层用于阻挡穿透所述光电二极管的光线。