一种发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底的第一表面的N型层、发光层、P型层，P型层上设有延伸至N型层的凹槽，P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、P型电极，N型层上设有N型电极，N型层、凹槽的侧壁和透明导电层上覆盖有钝化层，衬底的第二表面设有反射层，衬底的第二表面为与衬底的第一表面相反的表面，LED芯片的侧面与LED芯片的底面的夹角大于90°且小于180°，LED芯片的底面为反射层的表面，LED芯片的侧面为LED芯片的底面的相邻表面。本发明可以提高LED的出光效率。

主权项

一种发光二极管LED芯片，所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底的第一表面的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有延伸至所述N型层的凹槽，所述P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述N型层、所述凹槽的侧壁和所述透明导电层上覆盖有钝化层，所述衬底的第二表面设有反射层，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面，其特征在于，所述LED芯片的侧面与所述LED芯片的底面的夹角大于90°且小于180°，所述LED芯片的底面为所述反射层的表面，所述LED芯片的侧面为所述LED芯片的底面的相邻表面。