| 发明名称 | 可安装于存储介质处理工具中的蚀刻源 | ||
| 摘要 | 一种等离子体刻蚀源(122)，可安装到溅射沉积工具(100)的多个隔间(102,104，106，108，110)中的至少一个。等离子体蚀刻源(122)包括：第一安装板(302)和联接到所述第一安装板(302)的至少一个电极板(304)。气体入口(308)被包括在等离子体蚀刻源(122)的第一安装板(302)中。 | ||
| 申请公布号 | CN106103791A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201480072744.2 | 申请日期 | 2014.01.17 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | 塞缪尔·刘易斯·唐纳卡;托马斯·拉森·格林伯格 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 杨娟奕 |
| 主权项 | 一种设备，包括：溅射沉积工具，所述溅射沉积工具具有多个隔间；以及蚀刻源，所述蚀刻源能够移除地安装到所述溅射沉积工具的所述多个隔间中的至少一个隔间内。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||