一种功率器件的结终端结构

摘要

本发明属于半导体技术，特别涉及一种功率器件结终端结构。该结构包括位于N型漂移区2中的P型场限环3，及位于N型漂移区2上方的氧化层中的数个多晶硅岛。通过非均匀存储于多晶硅岛内的电荷调制半导体表面的电场分布，使表面电场分布更均匀，提高器件的可靠性。

主权项

一种功率器件的结终端结构，包括N型重掺杂单晶硅衬底(1)、位于N型重掺杂单晶硅衬底(1)下表面的漏极电极(7)、位于N型重掺杂单晶硅衬底(1)上的N型漂移区(2)；所述N型漂移区(2)上层两侧分别具有P型场限环(3)和N+截止环(9)；所述终端结构表面是氧化层(8)，所述氧化层(8)内具有多个长度及厚度相等的多晶硅岛；所述多晶硅岛位于P型场限环(3)和N+截止环(9)之间并靠近P型场限环(3)一侧，与P型场限环(3)相邻的多晶硅岛边界不与P型场限环(3)重叠；所述多晶硅岛内存储有负电荷，且存储的负电荷密度满足条件：沿P型场限环(3)到N+截止环(9)的方向，从与P型场限环(3)相邻的多晶硅岛开始，多晶硅岛内的负电荷密度依次递减。