发明名称 |
P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法,目的在于,降低器件开态电阻、提升功率特性,结构所采用的技术方案为:包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层,P型电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶,相邻台阶之间设有沟槽,所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层,P型SiC欧姆接触层的上部设置有P型欧姆接触电极,P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同,所述沟槽内设置有肖特基电极,肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部均接触,所述N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层,所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层,或者Ti层、Cr层和Au层,或者Pt层、Cr层和Au层。 |
申请公布号 |
CN106098767A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610496818.6 |
申请日期 |
2016.06.28 |
申请人 |
长安大学 |
发明人 |
张林;张赞;朱玮;高恬溪 |
分类号 |
H01L29/74(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/74(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
徐文权 |
主权项 |
一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管,其特征在于,包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极(7)、N型SiC衬底(1)、P型SiC缓冲层(2)、P型SiC漂移层(3)和P型电流增强层(4),P型电流增强层(4)上刻蚀形成有若干个台阶,相邻台阶之间设有沟槽,所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层(5),P型SiC欧姆接触层(5)的上部设置有P型欧姆接触电极(6),P型欧姆接触电极(6)的形状与P型SiC欧姆接触层(5)相同,所述沟槽内设置有肖特基电极(8),肖特基电极(8)与台阶侧面和沟槽底部均接触,所述N型欧姆接触电极(7)和P型欧姆接触电极(6)均包括依次沉积的Ni层和Pt层,所述肖特基电极(8)包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层,或者Ti层、Cr层和Au层,或者Pt层、Cr层和Au层。 |
地址 |
710064 陕西省西安市碑林区南二环中段33号 |