发明名称 驱动电平组合优化的桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法
摘要 本发明公开一种驱动电平组合优化的桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法,电路包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管的栅极间的第一栅极电压图腾柱结构电路、连接在上桥臂的第二供电电源与上管的源极间的第一源极电压图腾柱结构电路、与第一栅极电压图腾柱结构电路连接的第一低阻抗桥臂串扰抑制回路、连接在下桥臂的第三供电电源与下管的栅极间的第二栅极电压图腾柱结构电路、连接在下桥臂的第四供电电源与下管的源极间的第二源极电压图腾柱结构电路,以及与第二栅极电压图腾柱结构电路连接的第二低阻抗桥臂串扰抑制回路。此种驱动电路可充分发挥SiC MOSFET高速开关的性能优势,在实现桥臂串扰抑制功能的同时提高开通及关断瞬间的驱动电压,实现高速开关。
申请公布号 CN106100296A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610459751.9 申请日期 2016.06.22
申请人 南京航空航天大学 发明人 谢昊天;秦海鸿;朱梓悦;付大丰;徐华娟
分类号 H02M1/088(2006.01)I 主分类号 H02M1/088(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 葛潇敏
主权项 一种驱动电平组合优化的桥臂串扰抑制驱动电路,连接在SiC MOSFET桥臂电路中,所述SiC MOSFET桥臂电路包括上桥臂和下桥臂;其特征在于:上桥臂包括第一供电电源、第二供电电源和上管,下桥臂包括第三供电电源、第四供电电源和下管;所述驱动电路还包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管的栅极之间的第一栅极电压图腾柱结构电路、连接在上桥臂的第二供电电源与上管的源极之间的第一源极电压图腾柱结构电路、与第一栅极电压图腾柱结构电路连接的第一低阻抗桥臂串扰抑制回路、连接在下桥臂的第三供电电源与下管的栅极之间的第二栅极电压图腾柱结构电路、连接在下桥臂的第四供电电源与下管的源极之间的第二源极电压图腾柱结构电路,以及与第二栅极电压图腾柱结构电路连接的第二低阻抗桥臂串扰抑制回路。
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