| 发明名称 | 流路构件以及半导体模块 | ||
| 摘要 | 提供散热特性优良的流路构件以及在设于该流路构件的金属层上搭载半导体元件而成的半导体模块。被壁包围的空间是流体流过的流路(2)，在流路构件(1)中，所述壁由陶瓷构成，所述壁当中进行热交换的壁部的内面(3a)中的晶界相的面积占有率小于外面(3b)中的晶界相的面积占有率。通过满足这样的构成，流路构件(1)在散热特性上优良。 | ||
| 申请公布号 | CN106104797A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201580013774.0 | 申请日期 | 2015.03.25 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 石峰裕作;小松原健司 |
| 分类号 | H01L23/373(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/373(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 齐秀凤 |
| 主权项 | 一种流路构件，被壁包围的空间是流体流过的流路，所述壁由陶瓷构成，所述流路构件的特征在于，所述壁当中进行热交换的壁部的内面中的晶界相的面积占有率小于外面中的晶界相的面积占有率。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||