发明名称 CONTROL OF EROSION PROFILE ON A DIELECTRIC RF SPUTTER TARGET
摘要 본 발명은 전체적으로 RF 스퍼터링 프로세스(sputtering process)에 사용될 수 있는 스퍼터링 타깃 조립체를 포함한다. 스퍼터링 타깃 조립체는 후면 플레이트 및 스퍼터링 타깃을 포함할 수 있다. 후면 플레이트는 상기 후면 플레이트로부터 상기 스퍼터링 타깃을 향해 연장하는 하나 또는 그보다 많은 핀을 가지도록 형성될 수 있다. 스퍼터링 타깃은 상기 후면 플레이트의 핀에 접합될 수 있다. 스퍼터링 프로세스 동안에 사용되는 RF 전류는 상기 하나 또는 그보다 많은 핀 위치에서 상기 스퍼터링 타깃에 인가될 것이다. 상기 핀은 상기 후면 플레이트의 뒤에 배치될 수 있는 마그네트론에 의해 생성되는 자기장에 상응하는 위치에서 상기 후면 플레이트로부터 연장할 수 있다. 상기 RF 전류가 상기 스퍼터링 타깃에 결합되는 위치가 자기장과 정렬되도록 제어함으로써, 상기 스퍼터링 타깃의 부식(erosion)이 제어될 수 있다.
申请公布号 KR101669497(B1) 申请公布日期 2016.11.09
申请号 KR20117011006 申请日期 2009.09.30
申请人 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 发明人 포스터, 존, 씨.;호프만, 다니엘, 제이.;피피톤, 존, 에이.;탕, 시안민;왕, 롱준
分类号 H01L21/203 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人
主权项
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