| 摘要 |
탄소 도핑 영역을 형성한 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 기판 상에 게이트 구조물을 형성하고, 게이트 구조물 측벽 상에 희생 스페이서를 형성한 후, 제1 이온 주입 공정을 통해 기판 상부에 제1 불순물을 주입하여 소스/드레인 영역을 형성한다. 사용된 희생 스페이서를 제거한다. 게이트 구조물을 이온 주입 마스크로 사용하는 제2 이온 주입 공정을 통해, 기판 상부에 제1 불순물 및 탄소를 주입하여 소스/드레인 확장 영역 및 탄소 도핑 영역을 각각 형성한다. 탄소 도핑 영역을 형성하기 이전에 열처리함에 따라 탄소 도핑 영역에서의 탄소 비활성화를 방지할 수 있고, 희생 스페이서의 사용으로 탄소 도핑 영역들 사이의 간격이 좁아져 채널 영역에 인가되는 인장 스트레스가 증가될 수 있다. |
