与半导体量子级联激光器的端面相邻的P-型隔离区

摘要

提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括有源波导芯（29），被夹在沿激光器的波导轴延伸的上侧（22,26）和下侧（24）n‑型包覆层之间。该上侧n‑型包覆层的一部分（40）包括足够多的p‑型掺杂剂以变成p‑型且变成电隔离区。这些隔离区可仅被设置在激光器的窗口端面段（13,14）之一或这两者处，以在这些端面段中提供垂直隔离，从而减少进入激光器的端面区的电流、并帮助使可能有害的端面加热达到最小。可设置附加p‑型电隔离区（40）以形成沿激光器的波导轴延伸的电隔离的激光器段（10，12，16）。

主权项

一种半导体激光器，包括夹在上侧n‑型包覆层和下侧n‑型包覆层之间的有源波导芯，其中所述半导体激光器是量子级联激光器，并且其中：所述有源波导芯在所述半导体激光器的相对的端面之间延伸，所述端面中的一个定义了所述激光器的输出窗口；所述上侧n‑型包覆层的一部分包括足够多的p‑型掺杂剂以定义与所述激光器的所述相对的端面中的至少一个相邻的p‑型隔离区；所述p‑型隔离区在所述激光器的相对的端面中的至少一个端面附近横跨所述上侧n‑型包覆层的厚度的至少一部分而延伸；且所述有源波导芯包括交替的半导体层，被配置为放大因同一能带中的能态之间的载流子迁跃而发出的光，其中所述p‑型隔离区以主导的移动p‑型电荷载流子导电。