发明名称 改良的热处理腔室
摘要 描述于此的实施方式提供一种基板处理设备,所述基板处理设备包括:真空腔室,所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构;基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间;准直能量源,所述准直能量源布置于分隔壳体中且接近所述第二拱形结构放置,其中所述第二拱形结构介于所述准直能量源和所述基板支撑件之间。所述第二拱形结构的至少一部分和所述基板支撑件可对来自所述准直能量源的准直能量为光学透明的。
申请公布号 CN106104750A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201580009756.5 申请日期 2015.03.11
申请人 应用材料公司 发明人 约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;赵静
主权项 一种基板处理设备,所述基板处理设备包括:真空腔室,所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构;基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间且面对所述第一拱形结构,其中所述基板支撑件被配置成支撑具有沉积表面的基板;和准直能量源,所述准直能量源位于分隔壳体中,所述分隔壳体接近所述真空腔室的所述第二拱形结构放置,其中所述第二拱形结构的至少一部分及所述基板支撑件对来自所述准直能量源的准直能量为光学透明的。
地址 美国加利福尼亚州