| 发明名称 | 具有选择性接合垫保护的CMOS-MEMS积体电路装置 | ||
| 摘要 | 揭露一种用来制备半导体晶圆的方法和系统。在第一态样中，该方法包含：在该半导体晶圆上的图案化顶部金属上方设置钝化层；使用第一掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中开启接合垫；在该半导体晶圆上沉积保护层；使用第二掩膜图案化该保护层；以及使用第三掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中开启其它电极。该系统包含MEMS装置，其还包含第一基板和接合至该第一基板的第二基板，其中，该第二基板是由该方法的前述步骤所制备。 | ||
| 申请公布号 | CN106098574A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610282659.X | 申请日期 | 2016.04.29 |
| 申请人 | 因文森斯公司 | 发明人 | D·李 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用来制备半导体晶圆的方法，该方法包含：在该半导体晶圆上的图案化顶部金属上方设置钝化层；使用第一掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中开启接合垫；在该半导体晶圆上沉积保护层；使用第二掩膜图案化该保护层；以及使用第三掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中开启其它电极。 | ||
| 地址 | 美国，加利福尼亚州 | ||