通过擦除状态修改的存储器单元保持增强

摘要

本发明提供一种控制电阻性存储器单元的方法。针对所述存储器单元界定电阻阈值，其中如果所述单元的经检测电阻是在所述电阻阈值之上，那么电路将所述单元识别为经擦除，且如果所述经检测电阻在所述电阻阈值之下，那么将所述单元识别为经编程。通过施加电荷来跨所述单元的电解质切换区域形成细丝，其中具有所述经形成细丝的所述单元具有第一电阻。接着将所述单元擦除到具有大于所述第一电阻的第二电阻的经擦除状态。接着将所述单元编程到准经擦除状态，所述准经擦除状态具有在所述第一电阻与所述第二电阻之间且在所述电阻阈值之上的第三电阻，使得所述单元由所述电路识别为经擦除。接着，可将所述单元维持于所述准经擦除状态中。

主权项

一种控制电阻性存储器单元的方法，其包括：针对所述存储器单元界定电阻阈值，其中如果所述存储器单元的经检测电阻是在所述电阻阈值之上，那么所述单元由电路识别为经擦除，且如果所述存储器单元的所述经检测电阻是在所述电阻阈值之下，那么所述单元由所述电路识别为经编程；通过施加电荷来跨所述电阻性存储器单元的电解质切换区域形成细丝，其中具有所述经形成细丝的所述存储器单元具有在所述电阻阈值之下的第一电阻；将所述存储器单元擦除到具有大于所述第一电阻且在所述电阻阈值之上的第二电阻的经擦除状态；将所述存储器单元编程到准经擦除状态，所述准经擦除状态具有在所述第一电阻与所述第二电阻之间且在所述电阻阈值之上的第三电阻，使得所述存储器单元由所述电路识别为经擦除；以及将所述存储器单元维持于所述准经擦除状态中。