氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途与制备方法

摘要

本发明公开了一种氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途及其制备方法，所述用途为在制作蓝紫光发光器件中的应用，其化学组成式为CeOCl，空间群为P4/nmm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。其制备方法主要步骤包括：将反应前躯体氯化铈和氧化镁混合制得的混合物预压制成体块；将上述制成的体块反应物放置到高压合成块中；将上述制得的高压合成块置于压机合成腔体中进行合成反应，合成温度不低于1300℃，压力不低于4GPa，合成反应时间不少于3.0分钟；上述合成反应完结后降温泄压，取出合成产物，用蒸馏水溶解去除副产物，即得到宽禁带半导体CeOCl晶体。本发明的制备方法简单可控，样品结晶良好。

主权项

一种氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途，其特征在于氧氯化铈宽禁带半导体材料在制作蓝紫光发光器件中的应用；所述氧氯化铈宽禁带半导体材料的化学组成式为CeOCl，空间群为P4/nmm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。