| 发明名称 | 一种碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB<sub>2</sub>第二相材料，所述ZrB<sub>2</sub>第二相材料的含量为≥20wt%，优选为20～40wt%。本发明所制备的SiC基复相陶瓷具有线性的伏安特性，可调的电阻率，同时具有较高的强度与硬度以及较低的密度，在实现结构与功能一体化的电阻元件等方面有望得到重要应用。因此SiC/ZrB<sub>2</sub>复相陶瓷有望成为可在超高温、强酸强碱等苛刻环境下运行的结构与功能一体化的电子工业元件。本发明所述方法为常压烧结，可以制备不同形状和尺寸的结构陶瓷。 | ||
| 申请公布号 | CN106083057A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610410680.3 | 申请日期 | 2016.06.13 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 陈健;陈军军;黄政仁;陈忠明;刘学建 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B41/88(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种碳化硅基复相陶瓷材料，其特征在于，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB<sub>2</sub>第二相材料，所述ZrB<sub>2</sub>第二相材料的含量为≥20wt%，优选为20～40wt%。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||