包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料

摘要

本发明涉及一种半导体材料，其包含根据式(I)的化合物：其中R¹、R²和R³独立地选自C₁‑C₃₀‑烷基、C₃‑C₃₀环烷基、C₂‑C₃₀‑杂烷基、C₆‑C₃₀‑芳基、C₂‑C₃₀‑杂芳基、C₁‑C₃₀‑烷氧基、C₃‑C₃₀‑环烷氧基、C₆‑C₃₀‑芳氧基和通式E‑A‑所示的结构单元，其中A是亚苯基间隔基单元，E是电子传输单元，其选自C₁₀‑C₆₀芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C₆‑C₆₀杂芳基，并包含至少10个离域电子的共轭体系，选自R¹、R²和R³的至少一个基团由所述通式E‑A‑所示，以及涉及至少一种式(II)的锂络合物其中A¹是C₆‑C₃₀亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C₂‑C₃₀亚杂芳基，并且每个A²‑A³独立地选自C₆‑C₃₀芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C₂‑C₃₀杂芳基。还公开了一种电子器件，其包含阴极、阳极和在所述阴极与阳极之间的根据权利要求1‑9任一项的半导体材料。此外，公开了化合物和电子器件。

主权项

一种半导体材料，其包含i)根据式(I)的化合物：其中R¹、R²和R³独立地选自C₁‑C₃₀‑烷基、C₃‑C₃₀环烷基、C₂‑C₃₀‑杂烷基、C₆‑C₃₀‑芳基、C₂‑C₃₀‑杂芳基、C₁‑C₃₀‑烷氧基、C₃‑C₃₀‑环烷氧基、C₆‑C₃₀‑芳氧基和通式E‑A‑所示的结构单元，其中A是亚苯基间隔基单元，并且E是电子传输单元，其选自C₁₀‑C₆₀芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C₆‑C₆₀杂芳基，并包含至少10个离域电子的共轭体系，选自R¹、R²和R³的至少一个基团由所述通式E‑A‑所示，以及ii)至少一种式(II)所示的锂络合物其中A¹是C₆‑C₃₀亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C₂‑C₃₀亚杂芳基，并且每个A²‑A³独立地选自C₆‑C₃₀芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C₂‑C₃₀杂芳基。