| 发明名称 | 磁阻存储器件 | ||
| 摘要 | 根据一个实施例，一种磁阻存储器件包括：衬底，其具有包括第一方向的第一表面；以及存储元件，每个存储元件具有可切换电阻。第一列存储元件不同于相邻第二列存储元件，所述第一列存储元件沿着所述第一方向排成行，所述第二列存储元件沿着所述第一方向在所述第一方向上的存储元件位置处排成行。 | ||
| 申请公布号 | CN106104790A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201480074654.7 | 申请日期 | 2014.10.02 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 中冢圭祐;宫川正;穗谷克彦;浜本毅司;竹中博幸 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 李峥;刘薇 |
| 主权项 | 一种磁阻存储器件，包括：衬底，其具有包括第一方向的第一表面；以及存储元件，每个存储元件具有可切换电阻，第一列存储元件不同于相邻第二列存储元件，所述第一列存储元件沿着所述第一方向排成行，所述第二列存储元件沿着所述第一方向在所述第一方向上的存储元件位置处排成行。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||