发明名称 |
一种铋层状结构K<sub>0.5</sub>Bi<sub>4.5</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>晶体的制备工艺 |
摘要 |
本发明属于铁电功能晶体材料领域,具体涉及了一种铋层状结构K<sub>0.5</sub>Bi<sub>4.5</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>晶体的制备工艺。所述制备工艺为:多晶料的制备;将多晶料研磨成粉后再次压成实块,进行二次烧结,打磨切割得到多晶原料棒;将多晶原料棒置于中空铂金管下部,置于晶体生长炉中,在氩气氛围下加热,使多晶原料棒熔化,引入铂金丝,进行晶体的形核和生长;待晶体生长结束后,将晶体缓慢移开熔融区间,稳定1~2h后取出铂金丝,得到铋层状结构K<sub>0.5</sub>Bi<sub>4.5</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>晶体;最后将铋层状结构K<sub>0.5</sub>Bi<sub>4.5</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>晶体置于高温退火。采用本发明所述工艺制备得到的K<sub>0.5</sub>Bi<sub>4.5</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>晶体的均匀性较好,具有良好的铁电特性。 |
申请公布号 |
CN106087059A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610506876.2 |
申请日期 |
2016.06.30 |
申请人 |
武汉工程大学 |
发明人 |
赵洪阳;蔡康;马志斌;黄志登;邓全;程振祥;木村秀夫 |
分类号 |
C30B29/32(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
崔友明;徐晓琴 |
主权项 |
一种铋层状结构K<sub>0.5</sub>Bi<sub>4.5</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>晶体的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:(1)多晶料的制备:以Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、TiO<sub>2</sub>为起始原料,按化学计量比配料,其中K和Bi过量5%~10%,将起始原料混合均匀并压成实块后煅烧,生成多晶料;(2)将多晶料研磨成粉后再次压成实块,进行二次烧结,烧结结束后,打磨切割得到多晶原料棒;(3)将多晶原料棒置于中空铂金管下部,使管壁与多晶原料棒接触良好,将中空铂金管置于晶体生长炉中,在氩气氛围下加热,使多晶原料棒熔化,待熔体状态稳定后,引入铂金丝,进行晶体的形核和生长;在晶体生长过程中通过CCD实时观测晶体生长情况,通过调整中空铂金管上升和下降的位置,使铂金丝处于中空铂金管底部中间位置;处于上方的中空铂金管和处于下方的铂金丝与旋转装置相连,在生长过程中缓慢旋转,保证晶体生长过程中成分的均一性;待晶体生长结束后,将晶体缓慢移开熔融区间,稳定1~2h后将铂金丝取出,得到铋层状结构K<sub>0.5</sub>Bi<sub>4.5</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>晶体;最后将铋层状结构K<sub>0.5</sub>Bi<sub>4.5</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub>晶体置于高温退火,以减少晶体内部的机械应力和氧空位。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号 |