发明名称 |
一种用陶瓷薄膜做基材的薄膜热电半导体器件的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种采用陶瓷薄膜基材制造耐高温的薄膜热电半导体器件的方法,首先将重参杂的P型及N型热电半导体材料,制成热电半导体粉体材料浆料;同时配制与特定热电半导体材料固态结晶特性、热膨胀系数等物理参数相近特性的陶瓷浆料及内部导电材料浆料,通过流延工艺制作需求厚度的陶瓷薄膜,并将陶瓷薄膜切割成规定的尺寸、形状(5),然后在陶瓷薄膜上印制内导电电极(6)及N型(8)及P型(9)热电半导体材料,经等静压、排胶及烧结工艺,制作出用陶瓷薄膜做基材的薄膜热电半导体器件。 |
申请公布号 |
CN106098925A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610484319.5 |
申请日期 |
2016.06.28 |
申请人 |
杜效中;何少云 |
发明人 |
杜效中;何少云 |
分类号 |
H01L35/34(2006.01)I;H01L35/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/34(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用陶瓷薄膜做基材的薄膜热电半导体器件的制作方法,其特征是:制作一种以陶瓷为基材的薄膜,在该薄膜上分层印制内部导电电极材料及热电半导体材料,并叠放若干层,用等静压将上述叠层的薄膜压制成一体,经排胶,烧结等工艺过程,制成以陶瓷薄膜为基材的薄膜热电半导体器件。 |
地址 |
519020 广东省珠海市香洲区拱北国防路101号17栋303室 |