发明名称 |
一种高效率晶体硅太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种高效率晶体硅太阳电池及其制备方法,所述高效率晶体硅太阳电池包括依次叠置的上电极、钝化减反射SiN层、磷扩散层、基体晶体硅片、铝的扩散层、调节层和下电极;所述调节层包括:介质材料和/或导电膜膜材料;或量子阱材料。本发明还公开了一种高效率晶体硅太阳电池的制备方法。本发明高效率晶体硅太阳电池构简单,制备成本低廉,能够利用传统的太阳电池生产线简单升级来完成电池制备。 |
申请公布号 |
CN106098811A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610445415.9 |
申请日期 |
2016.06.21 |
申请人 |
刘爱民;谭鑫;魏一 |
发明人 |
刘爱民;谭鑫;魏一 |
分类号 |
H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0256(2006.01)I |
代理机构 |
北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 |
代理人 |
徐淑东;王宇杨 |
主权项 |
一种高效率晶体硅太阳电池,其特征在于,包括依次叠置的上电极、钝化减反射SiN层、磷扩散层、基体晶体硅片、铝的扩散层、调节层和下电极;所述调节层包括:介质材料和/或导电膜膜材料;或量子阱材料。 |
地址 |
116000 辽宁省大连市高新区凌水路204-1-102 |