发明名称 一种高效率晶体硅太阳电池及其制备方法
摘要 本发明提供一种高效率晶体硅太阳电池及其制备方法,所述高效率晶体硅太阳电池包括依次叠置的上电极、钝化减反射SiN层、磷扩散层、基体晶体硅片、铝的扩散层、调节层和下电极;所述调节层包括:介质材料和/或导电膜膜材料;或量子阱材料。本发明还公开了一种高效率晶体硅太阳电池的制备方法。本发明高效率晶体硅太阳电池构简单,制备成本低廉,能够利用传统的太阳电池生产线简单升级来完成电池制备。
申请公布号 CN106098811A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610445415.9 申请日期 2016.06.21
申请人 刘爱民;谭鑫;魏一 发明人 刘爱民;谭鑫;魏一
分类号 H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0256(2006.01)I
代理机构 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人 徐淑东;王宇杨
主权项 一种高效率晶体硅太阳电池,其特征在于,包括依次叠置的上电极、钝化减反射SiN层、磷扩散层、基体晶体硅片、铝的扩散层、调节层和下电极;所述调节层包括:介质材料和/或导电膜膜材料;或量子阱材料。
地址 116000 辽宁省大连市高新区凌水路204-1-102