| 发明名称 | FinFET检测结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种FinFET检测结构。所述FinFET检测结构包括多个鳍；多个多晶硅结构，所述多个多晶硅结构将所述多个鳍首尾依次连接；两个金属结构，分别设置于第一个多晶硅结构和最后一个多晶硅结构上。通过在两个金属结构上施加检测信号，可获悉FinFET内部鳍之间的电性参数，可以判断是否存在短路、桥接等异常。 | ||
| 申请公布号 | CN205670543U | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201620561686.6 | 申请日期 | 2016.06.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵海 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种FinFET检测结构，其特征在于，包括：多个鳍；多个多晶硅结构，所述多个多晶硅结构将所述多个鳍首尾依次连接；两个金属结构，分别设置于第一个多晶硅结构和最后一个多晶硅结构上。 | ||
| 地址 | 300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||