半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：在所述半导体基底的第一表面和第二表面上形成半导体材料层后，在所述第二表面上的半导体材料层的表面形成拉应力层，所述拉应力层使得所述半导体衬底形变为第一表面中间部分凸起，第二表面中间部分下凹的结构。在现有诸如化学机械研磨工艺中，位于半导体衬底边缘的研磨速率较快，所述拉应力层使得半导体衬底的第一表面成中间部分凸起的结构，从而可有效缓解采用平坦化工艺去除所述位于第一表面的多余的多晶硅层的过程中，半导体衬底第一表面边缘被过度研磨的问题，以及由此造成的半导体器件的质量缺陷，提高半导体器件的性能和产量。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：形成半导体基底，所述半导体基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为用于形成半导体器件的功能面；采用炉管沉积法在所述半导体基底的第一表面和第二表面上形成半导体材料层；在所述第二表面上的半导体材料层的表面形成拉应力层；采用平坦化工艺去除所述第一表面部分厚度的半导体材料层之后，去除所述拉应力层和所述第二表面上的半导体材料层；在所述拉应力层的产生的拉应力的作用下，使得所述半导体基底的所述第一表面为中间部分凸起的结构，而所述第二表面为中间部分下凹周边凸起的结构。