集成电路封装体及其制造方法与所使用的封装基板

摘要

本发明是关于集成电路封装体及其制造方法与所使用的封装基板。根据一实施例的射频集成电路封装体包括：上表面与下表面分别设有若干焊垫与外部引脚的封装基板；承载于封装基板上表面的集成电路晶片，其经配置以与焊垫中的相应第一者电连接；滤波器晶片，包括：设有叉指换能器的第一表面、与第一表面相对的第二表面，及设于第一表面的金属结构。金属结构与焊垫中的相应第二者连接且与滤波器晶片的第一表面、封装基板的上表面共同形成容纳叉指换能器的第一空腔；绝缘壳体，至少遮蔽封装基板的上表面、集成电路晶片及滤波器晶片；及承载于封装基板的上表面以隔离绝缘壳体与第一空腔的隔离保护结构。本发明可以低成本实现高度可靠的产品质量。

主权项

一种射频集成电路封装体，其包括：封装基板，所述封装基板的上表面设置有若干焊垫，所述封装基板的下表面设置有若干外部引脚；集成电路晶片，其承载于所述封装基板上且经配置以与所述若干焊垫中的相应第一者电连接；滤波器晶片，其包括：第一表面，所述第一表面设置有叉指换能器；第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；以及金属结构，其设置于所述第一表面；所述金属结构与所述若干焊垫中的相应第二者连接，且与所述滤波器晶片的第一表面、所述封装基板的上表面共同形成容纳所述叉指换能器的第一空腔；绝缘壳体，至少遮蔽所述封装基板的上表面、所述集成电路晶片及所述滤波器晶片；以及隔离保护结构，其承载于所述封装基板的上表面以隔离所述绝缘壳体与所述第一空腔。