发明名称 一种用于校准模拟集成电路的方法及装置
摘要 本发明涉及一种用于校准模拟集成电路的方法及装置,该方法包括:根据烧写控制信号,存储模拟集成电路的校准信息;根据熔丝检测选通信号,通过检测节点输出所述校准信息以便于进行检测,检测后输出检测结果输出信号;其中,地址选择信号和读使能信号组成所述熔丝检测选通信号,所述地址选择信号和写使能信号组成所述烧写控制信号。本发明中,当需要更改存储单元位数时,只需更改存储单元阵列中的存储单元复用数目,并且在逻辑控制单元代码中增加相应的地址选择控制即可,明显地提高存储电路的设计效率以及模块的稳定性。
申请公布号 CN106067324A 申请公布日期 2016.11.02
申请号 CN201610571503.3 申请日期 2016.07.18
申请人 英特格灵芯片(天津)有限公司 发明人 陈晓龙;林建辉;夏磊
分类号 G11C17/18(2006.01)I 主分类号 G11C17/18(2006.01)I
代理机构 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 代理人 陈霁
主权项 一种用于校准模拟集成电路的装置,其特征在于,所述装置包括存储阵列单元、存储信息监测单元以及逻辑控制单元;其中,所述存储阵列单元根据烧写控制信号,存储模拟集成电路的校准信息;根据熔丝检测选通信号,通过检测节点输出存储的校准信息给所述存储信息监测单元;所述存储信息监测单元根据所述逻辑控制单元的检测使能控制信号,通过所述检测节点对所述校准信息进行检测,并输出检测结果输出信号给所述逻辑控制单元;所述逻辑控制单元通过输出地址选择信号、读使能信号、写使能信号以及检测使能控制信号,来控制所述校准信息的存储和检测;其中,所述地址选择信号和读使能信号组成所述熔丝检测选通信号,所述地址选择信号和所述写使能信号组成所述烧写控制信号,所述地址选择信号选中存储阵列单元中的一个或多个存储单元。
地址 300457 天津市滨海新区天津开发区信环西路19号泰达服务外包园2号楼2701-1室
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