发明名称 Sensoren, die eine p-n-halbleitende Oxidheterostruktur verwenden, und Verfahen zur Verwendung derselben
摘要 Sensorvorrichtung zum Erfassen von NH3 in einer Gasprobe, wobei die Sensorvorrichtung ein Sensorelement umfasst, das Folgendes umfasst: einen ersten Bereich, umfassend ein p-leitendes Metalloxidhalbleitermaterial (MOS-Material), das NiO umfasst; und einen zweiten Bereich, umfassend ein n-leitendes MOS-Material, das In2O3 umfasst; wobei der erste Bereich an den zweiten Bereich angrenzt und diesen berührt.
申请公布号 DE202016003205(U1) 申请公布日期 2016.11.02
申请号 DE20162003205U 申请日期 2016.05.19
申请人 Ohio State Innovation Foundation 发明人
分类号 G01N33/497;G01N27/12 主分类号 G01N33/497
代理机构 代理人
主权项
地址