具有平面结构形式的电元件和制造方法

摘要

本发明给出了电元件和制造方法。电元件包含具有穿透载体的凹槽的载体以及第一芯片和外接触面。第一芯片布置在载体的凹槽中。设置外接触面用于第一芯片与外部的外围电路错接。

主权项

具有平面结构形式的电元件（EB)，包含：‑剩余容积、具有凹槽（AU）的载体（TR）、第一芯片（CH1）、第二芯片和外接触面（EK），其中‑所述剩余容积作为空腔布置在所述载体中，并且在侧面通过所述载体的边缘包封，‑所述凹槽（AU）布置在所述空腔的下侧并穿透所述载体（TR），‑所述第一芯片（CH1）布置在所述载体（TR）的凹槽（AU）中，使得仅仅通过载体和芯片中的较高者来确定所述电元件的结构高度，‑所述第二芯片布置在所述剩余容积中并与所述第一芯片错接，‑设置外接触面（EK）用于所述第一芯片（CH1）与外部的外围电路的错接,‑所述载体（TR）具有多层结构，该多层结构具有两层介电层（DS）和在其中间布置的金属层（MS）。