金属铝硅铜溅射工艺方法

摘要

本发明公开了一种金属铝硅铜溅射工艺方法，其特征在于，包括：步骤1：成膜腔内成膜，其中所述成膜腔的温度为400±100摄氏度。步骤2：高温腔内恒温放置30‑60秒，其中所述恒温腔内温度为500±50摄氏度。步骤3：冷却腔中在10‑30秒的时间内快速降温至200摄氏度以下。采用本发明金属铝硅铜溅射工艺方法，能明显的减少溅射后的薄膜硅析出，避免后续工艺作业不完全，引起的器件失效，提高铝硅铜成膜质量，提高器件的良率和外观质量。

主权项

一种金属铝硅铜溅射工艺方法，其特征在于，包括：步骤1：成膜腔内溅射成膜形成金属铝硅铜薄膜，其中所述成膜腔的温度为400±100摄氏度；步骤2：高温腔内恒温放置30‑60秒，其中所述高温腔内温度为500±50摄氏度，所述高温腔内温度根据金属铝和非金属硅的二元相图进行设置使所述金属铝硅铜薄膜集中于金属铝相，防止硅析出；步骤3：冷却腔中在10‑30秒的时间内快速降温至200摄氏度以下，所述快速降温使步骤2中得到集中于金属铝相的所述金属铝硅铜薄膜的相结构得到保持。