发明名称 局部曝光异常缺陷自动检测方法
摘要 本发明提供了一种局部曝光异常缺陷自动检测方法,包括:采用缺陷检测机台检测晶圆的缺陷信号,并且根据检测结果生成缺陷信号文件;将缺陷信号文件转化为二值图像文件,其中每一个缺陷点构成一个有效像素;利用聚类算法对缺陷点构成的所有有效像素进行聚类分析,获取群聚缺陷的信息,并且记录该群聚缺陷在晶圆上的位置信息;根据晶圆标识信息,从制造执行系统中获取所述晶圆所通过的工艺机台的机台信息;将所述晶圆标识信息、所述机台信息、所述群聚缺陷信号以及群聚缺陷在晶圆上的位置信息保存至数据库;遍历获取的所有群聚缺陷,根据群聚缺陷特征以及机台信息,在所述数据库中检索特定时间间隔内是否有符合相似性条件的缺陷发生。
申请公布号 CN106067427A 申请公布日期 2016.11.02
申请号 CN201610356816.7 申请日期 2016.05.25
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 陈旭;娄晓祺;邵雄
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 智云
主权项 一种局部曝光异常缺陷自动检测方法,其特征在于包括:第一步骤:采用缺陷检测机台检测晶圆的缺陷信号,并且根据检测结果生成缺陷信号文件;第二步骤:将缺陷信号文件转化为二值图像文件,其中每一个缺陷点构成一个有效像素;第三步骤:利用聚类算法对缺陷点构成的所有有效像素进行聚类分析,获取群聚缺陷的信息,并且记录该群聚缺陷在晶圆上的位置信息;第四步骤:根据晶圆标识信息,从制造执行系统中获取所述晶圆所通过的工艺机台的机台信息;第五步骤:将所述晶圆标识信息、所述机台信息、所述群聚缺陷信号以及群聚缺陷在晶圆上的位置信息保存至数据库;第六步骤:遍历获取的所有群聚缺陷,根据群聚缺陷特征以及机台信息,在所述数据库中检索特定时间间隔内是否有符合相似性条件的缺陷发生。
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