薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

本公开涉及在同一基板上具有两种不同类型薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，以及使用该薄膜晶体管基板的显示器。本公开提出一种薄膜晶体管基板，包括：基板；第一薄膜晶体管，其设置在基板上并且包括多晶半导体层、第一源电极、第一漏电极、以及在多晶半导体层上的第一栅电极；第二薄膜晶体管，其设置在基板上并且包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极、以及在第二栅电极上的氧化物半导体层；中间绝缘层，其设置在第一栅电极和第二栅电极上并且在氧化物半导体层下；以及虚拟层，其具有与氧化物半导体层相同的材料并且设置在第一源电极与中间绝缘层之间以及在第一漏电极与中间绝缘层之间。

主权项

一种薄膜晶体管基板，包括：基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括多晶半导体层、第一源电极、第一漏电极、以及在所述多晶半导体层上的第一栅电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极、以及在所述第二栅电极上的氧化物半导体层；中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在所述第一栅电极和所述第二栅电极上并且在所述氧化物半导体层下；以及虚拟层，所述虚拟层具有与所述氧化物半导体层相同的材料并且设置在所述第一源电极与所述中间绝缘层之间、以及在所述第一漏电极与所述中间绝缘层之间。