Leistungshalbleitervorrichtung

摘要

Ein Halbleitersubstrat (SB) weist einen Driftbereich (1) und einen Kollektor-Bereich (3) auf. Der Driftbereich (1) ist über einem aktiven Bereich (AR1), einem Übergangsbereich (AR2) und einem Kantenterminierungsbereich (AR3) vorgesehen. Der Kollektor-Bereich (3) ist nur in dem aktiven Bereich (AR1) vorgesehen und bildet einen Teil einer zweiten Oberfläche (S2). Eine Emitter-Elektrode (13a) ist in dem aktiven Bereich (AR1) vorgesehen und berührt eine erste Oberfläche (S1) des Halbleitersubstrats (SB). Eine Kollektor-Elektrode (4) ist auf der zweiten Oberfläche (S2) des Halbleitersubstrats (SB) vorgesehen und berührt den Kollektor-Bereich (3).