| 发明名称 | 异质结太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含：p型微结晶硅层，具有受光面及相对于该受光面的背光面；第一纳米银线层，形成在该p型微晶硅层的受光面上；第一n型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上；i型微晶硅薄膜层，形成在该p型微结晶硅层的背光面上；第二n型非晶氧化层，形成在该i型微晶硅薄膜层上；以及第二纳米银线层，形成在该第二n型非晶氧化层上。由于第一、第二n型非晶氧化层及第一、第二纳米银线层的透光度、导电度及反射率较现有技术为佳，从而可使得本发明在光电转换与单位成本得到非常大的竞争优势。 | ||
| 申请公布号 | CN106057916A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610659357.X | 申请日期 | 2013.12.06 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈玉鸿;刘俊岑;刘永宗;林宸澄 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0747(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 乔东峰 |
| 主权项 | 一种异质结太阳能电池，包含：p型微结晶硅层，具有受光面及相对于该受光面的背光面；第一纳米银线层，形成在该p型微晶硅层的受光面上；第一n型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上；i型微晶硅薄膜层，形成在该p型微结晶硅层的背光面上；第二n型非晶氧化层，形成在该i型微晶硅薄膜层上；以及第二纳米银线层，形成在该第二n型非晶氧化层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||