| 发明名称 | 外延晶片的制造方法和外延晶片 | ||
| 摘要 | 提供抑制外延缺陷的形成、同时具有优异的吸杂能力的外延晶片的制造方法。其特征在于具有以下工序：簇离子照射工序，以2.0×10<sup>14</sup>/cm<sup>2</sup>以上1.0×10<sup>16</sup>/cm<sup>2</sup>以下的剂量对具有0.001Ω·cm以上0.1Ω·cm以下的电阻率的硅晶片10的表面照射至少含有碳的簇离子16，形成簇离子16的构成元素在硅晶片10的表面部固溶而成的改性层18；和外延层形成工序，在硅晶片10的改性层18上形成具有比硅晶片10高的电阻率的外延层20。 | ||
| 申请公布号 | CN106062937A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201480068022.X | 申请日期 | 2014.12.10 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 岩永卓朗;栗田一成;门野武 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 童春媛;鲁炜 |
| 主权项 | 外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：簇离子照射工序，以2.0×10<sup>14</sup>/cm<sup>2</sup>以上1.0×10<sup>16</sup>/cm<sup>2</sup>以下的剂量对具有0.001Ω·cm以上0.1Ω·cm以下的电阻率的硅晶片的表面照射至少含有碳的簇离子，形成所述簇离子的构成元素在所述硅晶片的表面部固溶而成的改性层；和外延层形成工序，在所述硅晶片的改性层上形成具有比所述硅晶片高的电阻率的外延层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||