发明名称 |
光伏装置及其制造方法 |
摘要 |
包括:半导体衬底(衬底),其具有杂质扩散层;第1电极,其贯穿形成在杂质扩散层上的防反射膜而与杂质扩散层电连接;背面绝缘膜,其形成为具有到达衬底的另一面侧的多个开口部;第2电极,其形成在衬底的另一面侧;背面反射膜,其构成为由利用气相生长法形成的金属膜构成或者含有金属箔,该背面反射膜形成为至少覆盖背面绝缘膜,第2电极包括:铝系电极,其由含有铝的材料构成,在衬底的另一面侧至少埋入在开口部而与衬底的另一面侧电连接;银系电极,其由含有银的材料构成,以进入背面绝缘膜的状态以利用背面绝缘膜与衬底的另一面侧绝缘的方式,设置在衬底的另一面侧的开口部间的区域,并且该银系电极借助背面反射膜与铝系电极电连接。 |
申请公布号 |
CN103155161B |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201080069307.7 |
申请日期 |
2010.10.20 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
滨本哲 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/056(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
史雁鸣 |
主权项 |
一种光伏装置,其特征在于,该光伏装置包括:第1导电型的半导体衬底,其在一面侧具有第2导电型的扩散有杂质元素的杂质扩散层;防反射膜,其形成在所述杂质扩散层上;第1电极,其贯穿所述防反射膜而与所述杂质扩散层电连接;背面绝缘膜,其以具有到达所述半导体衬底的另一面侧的多个开口部的方式,仅形成在所述半导体衬底的另一面侧,具有一定膜厚;第2电极,其仅形成在所述半导体衬底的另一面侧;背面反射膜,其由利用气相生长法形成的金属膜构成或含有金属箔,形成为至少覆盖所述背面绝缘膜上,所述第2电极具有:铝系电极,其由含有铝的材料构成,该铝系电极在所述半导体衬底的另一面侧将至少一部分埋入所述开口部,并且搭接地形成在所述背面绝缘膜上,从而与所述半导体衬底的另一面侧电连接;银系电极,其由含有银的材料构成,以进入所述背面绝缘膜的膜厚方向的一部分的状态以利用所述背面绝缘膜与所述半导体衬底的另一面侧不直接接触且从所述背面反射膜的表面突出的方式,设置在所述半导体衬底的另一面侧的所述开口部彼此之间的区域,并且该银系电极借助所述背面反射膜与所述铝系电极电连接。 |
地址 |
日本东京 |