| 发明名称 | 有源矩阵稀释源极实现垂直有机发光晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了关于稀释源极实现垂直有机发光晶体管的各个实施例。在各个实施例中，显示面板包括像素阵列。在一个实施例中，其中，至少一个像素包括开关晶体管以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管，其中所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光。所述驱动晶体管可以是稀释源极实现垂直有机发光晶体管（DS‑VOLET）。所述开关晶体管可以包括稀释源极实现垂直场效应晶体管（DS‑VFET）。在另一个实施例中，双稀释源极实现垂直场效应晶体管（DS‑VFET）包括第一DS‑VFET，所述第一DS‑VFET耦接至第二DS‑VFET。 | ||
| 申请公布号 | CN103460424B | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201180064181.9 | 申请日期 | 2011.12.07 |
| 申请人 | 佛罗里达大学研究基金会 | 发明人 | 安德鲁·加布里埃尔·林兹勒;米歇尔·奥斯汀·麦卡锡;刘波 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 武晨燕;张颖玲 |
| 主权项 | 一种显示面板，包括：包含多个像素的像素阵列，其中所述多个像素中的至少一个像素包括：开关晶体管(106a)；以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管(103d)，其中所述驱动晶体管具有漏极层(209)和源极层(113a)，所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光，其中所述驱动晶体管为耦接至所述开关晶体管的稀释源极实现垂直有机发光晶体管；耦接至所述源极层的源极导电线(123b)；过渡导电层(220)；位于所述过渡导电层和所述源极导电线间的层间介电层(223)。 | ||
| 地址 | 美国佛罗里达 | ||