| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了半导体器件及其形成方法。实施例是包括衬底上的焊盘的一种器件。钝化膜位于衬底上并且覆盖焊盘的至少部分。第一导电部件位于焊盘上并且具有平坦顶面，其中第一导电部件具有从焊盘至第一导电部件的平坦顶面测得的第一高度。第二导电部件位于钝化膜上并且具有非平坦顶面，其中第二导电部件具有从钝化膜至第二导电部件的非平坦顶面测得的第二高度。 | ||
| 申请公布号 | CN106057760A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201510757656.2 | 申请日期 | 2015.11.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林孟良;黄震麟 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种器件，包括：焊盘，位于衬底上；钝化膜，位于所述衬底上并且覆盖所述焊盘的至少部分；第一导电部件，位于所述焊盘上并且具有平坦顶面，所述第一导电部件具有从所述焊盘至所述第一导电部件的所述平坦顶面测得的第一高度；以及第二导电部件，位于所述钝化膜上并且具有非平坦顶面，所述第二导电部件具有从所述钝化膜至所述第二导电部件的所述非平坦顶面测得的第二高度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||