| 发明名称 | 气相生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种气相生长方法，能够在供给了含Ga的气体的同一反应室内，在Si上形成优质的膜。实施方式的气相生长方法中，将第一基板搬入反应室，向反应室供给含镓(Ga)的第一气体，在第一基板上形成第一膜，将第一基板从反应室搬出，将第二基板搬入反应室，向反应室供给含氯原子的第二气体，向反应室供给氢气或者惰性气体的第三气体，在第二基板上形成氮化铝膜或氮化硅膜的第二膜，将第二基板从反应室搬出。 | ||
| 申请公布号 | CN106057659A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610218871.X | 申请日期 | 2016.04.08 |
| 申请人 | 纽富来科技股份有限公司 | 发明人 | 高桥英志;佐藤裕辅 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 姜虎;陈英俊 |
| 主权项 | 一种气相生长方法，其特征在于，将第一基板搬入反应室；向所述反应室供给含镓(Ga)的第一气体，在所述第一基板上形成第一膜；将所述第一基板从所述反应室搬出；将第二基板搬入所述反应室；向所述反应室供给含氯原子的第二气体；向所述反应室供给氢气或惰性气体的第三气体；在所述第二基板上形成氮化铝膜或氮化硅膜的第二膜；将所述第二基板从所述反应室搬出。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||