发明名称 二氧化锡纳米晶嵌入三维中空碳球材料及制备与应用
摘要 本发明涉及一种二氧化锡纳米晶嵌入三维中空碳球材料及其制备方法,该材料为超细二氧化锡颗粒均匀嵌入到三维中空碳球中,其中三维中空碳球的壁厚约为10‑30nm,三维中空碳球网络直径约为1‑5um,二氧化锡颗粒粒径在1‑10nm之间,该材料中二氧化锡与碳量的质量百分比为:(0.3‑0.7):(0.7‑0.3)。该二氧化锡纳米晶嵌入三维中空碳球材料应用于锂离子/钠离子电池负极。本发明制备方法过程简单,该材料用于锂离子/钠离子电池负极,具有良好的电化学性能。
申请公布号 CN106058231A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201610581223.0 申请日期 2016.07.20
申请人 天津大学 发明人 何春年;秦戬;赵乃勤;师春生;刘恩佐;李家俊
分类号 H01M4/48(2010.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M4/1393(2010.01)I;H01M4/1391(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M10/36(2010.01)I 主分类号 H01M4/48(2010.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 程毓英
主权项 一种二氧化锡纳米晶嵌入三维中空碳球材料,其特征在于,该材料为超细二氧化锡颗粒均匀嵌入到三维中空碳球中,其中三维中空碳球的壁厚约为10‑30nm,三维中空碳球网络直径约为1‑5um,二氧化锡颗粒粒径在1‑10nm之间,该材料中二氧化锡与碳量的质量百分比为:(0.3‑0.7):(0.7‑0.3)。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号