发明名称 |
制造光二极管检测器的方法 |
摘要 |
辐射检测器组件包括响应入射辐射产生电荷的有机光检测器、包括多个像素的薄膜晶体管阵列。所述多个像素可生成对应于由所述有机光检测器产生的电荷的电信号。所述辐射检测器组件还包括布置在所述薄膜晶体管阵列上的间隔件。所述间隔件包围一个或多个像素且可将所述有机光检测器限制在所包围的一个或多个像素内,使得所述包围的一个或多个像素与邻近像素电隔离。 |
申请公布号 |
CN106062956A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201480071858.5 |
申请日期 |
2014.09.08 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
赵日安;K.H.安;G.帕塔萨拉蒂;A.J.库图尔;刘杰;W.A.亨尼西 |
分类号 |
H01L27/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/30(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
徐晶;林森 |
主权项 |
辐射检测器组件,其包括:构造成响应入射辐射产生电荷的有机光检测器;包括多个像素的薄膜晶体管阵列,其中所述多个像素构造成生成对应于由所述有机光检测器产生的电荷的电信号;和布置在所述薄膜晶体管阵列上的间隔件,其中所述间隔件包围一个或多个像素且构造成将所述有机光检测器限制在所包围的一个或多个像素内,使得所述包围的一个或多个像素与邻近像素电隔离。 |
地址 |
美国纽约州 |