发明名称 |
一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明涉及用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法,包括以下步骤:1)制备氧化镧前驱体溶液;2)制备氧化镧介电层薄膜:将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液过滤后,在衬底上旋涂氧化镧前驱体溶液,得到氧化镧前驱体薄膜;3)将步骤2)得到的样品依次进行预退火处理、热处理和臭氧活化处理后,得到氧化镧介电层,即得到高介电栅介质材料。本发明所述的高介电栅介质材料氧化镧介电层具有高介电常数以及宽能带,能有效地降低器件所需的工作电压;且其采用溶液法制备,能够在低温下生成致密性的薄膜,工艺简单,成本较低。本发明还提供一种采用所述高介电栅介质材料作为介电层的柔性低压驱动有机薄膜晶体管及其制备方法。 |
申请公布号 |
CN106058047A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610527964.0 |
申请日期 |
2016.07.06 |
申请人 |
华南师范大学 |
发明人 |
陆旭兵;严龙森;龚岩芬;曾敏;刘俊明 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 |
代理人 |
华辉 |
主权项 |
一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备氧化镧前驱体溶液;2)制备氧化镧介电层薄膜:将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液通过0.20~0.25μm的滤嘴过滤后,在衬底上旋涂氧化镧前驱体溶液,得到氧化镧前驱体薄膜;3)将步骤2)得到的样品依次进行预退火处理、热处理和臭氧活化处理后,得到氧化镧介电层,即得到高介电栅介质材料。 |
地址 |
510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院 |