一种原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法

摘要

本发明涉及一种原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法。具体如下：(1)将铜粉、钛粉和碳粉按比例称取，混合均匀后用压片机将混合粉末压制成预制块；(2)将电解铜和步骤(1)获得的预制块放入真空感应熔炼炉中，抽真空后加热熔化电解铜，待温度达到1350～1450℃时把预制块投入到熔体之中，保温后进行降温浇铸，自然冷却，得到平均粒径为0.5～1μm、含量1～2wt%的TiC弥散强化铜基合金。经测试含1%TiC的铸态显微硬度为92.8HV，导电率为76.5%IACS。本发明制备工艺简单，原位生成的TiC颗粒呈微团聚状均匀分布，颗粒细小且与基体结合良好，钛和碳反应完全，无杂质相的生成，材料性能较好。

主权项

一种原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步、取铜粉、钛粉和碳粉，用球磨机进行球磨，再压制成预制块；第2步、将铜和第1步所得的预制块放入真空感应熔炼炉中，抽真空，加热熔化铜；再将预制块投入到铜熔体中，保温，再降温后浇铸，冷却，即得TiC弥散强化Cu合金；所述的第1步中，铜粉的重量：钛粉与碳粉的重量之和为1.1～1.3：1；其中钛粉：碳粉摩尔比为1.8～2.2：1；所述的第2步中，加热熔化铜中，待温度达到1350～1450℃时把预制块投入到熔体当之中。