发明名称 单级负氧离子发生器
摘要 本发明公开了一种单级负氧离子发生器,包括高压瓷片电容(Cl、C2、C4、C5),Y电容(C3),高压二极管(Dl、D2、D3、D4),二极管(D5、D6)可控硅(Q1),第一插件电阻(Rl、R2),第二插件电阻(R3),第三插件电阻(R4),第四插件电阻(R5),高压包(Tl)、倍压电路(Jl、J2、J3),220V通过J3‑R3‑C3‑Tl‑D6‑J4给Y电容(C3)充电,高压包(Tl)通过D6‑R4//R5‑Ql栅级使Ql导通,通过C3再到T1‑(2)脚放电,形成感应电压,使T1‑(3)脚输出5000V的电压,通过高压瓷片电容(C4)、高压二极管(Dl)、高压二极管(D3)、高压瓷片电容(Cl)、高压瓷片电容(C5)、高压二极管(D2)、高压二极管(D4)、高压瓷片电容(C2)、第一插件电阻(R2)、倍压电路(J2),得到18000V‑20000V的负电压,通过黄金针放电,产生负离子。
申请公布号 CN106058647A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201610679584.9 申请日期 2016.08.18
申请人 浙江亿东环保科技有限公司 发明人 李团山;许加元;王书学;朱星富
分类号 H01T23/00(2006.01)I 主分类号 H01T23/00(2006.01)I
代理机构 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人 林君勇
主权项 单级负氧离子发生器,其特征在于,包括高压瓷片电容(Cl、C2、C4、C5),Y电容(C3),高压二极管(Dl、D2、D3、D4),二极管(D5、D6)可控硅(Q1),第一插件电阻(Rl、R2),第二插件电阻(R3),第三插件电阻(R4),第四插件电阻(R5),高压包(Tl)、倍压电路(Jl、 J2、J3), 220V通过J3‑R3‑C3‑Tl‑D6‑J4给Y电容(C3)充电,高压包(Tl)通过D6‑R4//R5‑Ql栅级使Ql导通,通过C3再到T1‑(2)脚放电,形成感应电压,使T1‑(3)脚输出5000V的电压,通过高压瓷片电容(C4)、高压二极管(Dl)、高压二极管(D3)、高压瓷片电容(Cl)、高压瓷片电容(C5)、高压二极管(D2)、高压二极管(D4)、高压瓷片电容(C2)、第一插件电阻(R2)、倍压电路(J2),得到18000V‑20000V的负电压,通过黄金针放电,产生负离子。
地址 322100 浙江省金华市东阳市经济开发区长松岗功能区兴业街158A号