半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。在具有氧化物半导体膜的底栅结构晶体管的制造工序中，进行由热处理的脱水化或脱氢化处理以及氧掺杂处理。具有经过由热处理的脱水化或脱氢化处理的氧化物半导体膜且受到氧掺杂处理的晶体管可以减小晶体管在偏压－热应力试验(BT试验)的前后的阈值电压的变化量，从而可以实现具有稳定电特性的可靠性高的晶体管。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；以与所述栅电极重叠的方式在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在形成所述氧化物半导体膜之后，在惰性气体气氛中对所述氧化物半导体膜进行热处理；在进行所述热处理之后，在所述氧化物半导体膜上形成绝缘膜；以及在形成所述绝缘膜之后，对所述绝缘膜进行氧掺杂处理。