| 发明名称 | 多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构，包括硅衬底，硅衬底之上设置有经N型掺杂的源极和漏极；所述源极和所述漏极之上都生长有一层钛硅化物；所述源极和所述漏极之间有一下凹的刻蚀区，刻蚀区上生长有多晶硅栅；所述多晶硅栅和所述硅衬底之间有一层氧化硅隔离层；所述多晶硅栅的上表面覆盖有一层钛多晶硅化物；所述多晶硅栅的左右两侧有侧墙；在所述源极和所述漏极的外侧有下凹状的隔离氧化硅；所述隔离氧化硅和所述硅衬底之间设置有一层衬垫氧化硅。本发明在硅氧化栅的生长处设置有一个过刻蚀的下凹陷区，则硅氧化栅生长位置相对于源极和漏极处更靠下方，在相同的栅极尺寸下，栅极电压控制的灵敏度更大。 | ||
| 申请公布号 | CN106057901A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610539062.9 | 申请日期 | 2016.07.08 |
| 申请人 | 无锡宏纳科技有限公司 | 发明人 | 吕耀安 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人 | 聂汉钦 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构，其特征在于，包括硅衬底(21)，硅衬底(21)之上设置有经N型掺杂的源极(221)和漏极(222)；所述源极(221)和所述漏极(222)之上都生长有一层钛硅化物(23)；所述源极(221)和所述漏极(222)之间有一下凹的刻蚀区，刻蚀区上生长有多晶硅栅(25)；所述多晶硅栅(25)和所述硅衬底(21)之间有一层氧化硅隔离层(24)；所述多晶硅栅(25)的上表面覆盖有一层钛多晶硅化物(27)；所述多晶硅栅(25)的左右两侧有侧墙(26)；在所述源极(221)和所述漏极(222)的外侧有下凹状的隔离氧化硅(29)；所述隔离氧化硅(29)和所述硅衬底(21)之间设置有一层衬垫氧化硅(28)。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新区清源路20号太湖国际科技园传感网大学科技园立业楼D区一楼 | ||