半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的方法，包括形成包括阱层、阱层上方设置的氧化物层和氧化物层上方设置的沟道层的鳍结构。形成隔离绝缘层，从而使得鳍结构的沟道层从隔离绝缘层突出，并且氧化物层的一部分或全部嵌入隔离绝缘层中。在鳍结构上方形成栅极结构。通过蚀刻鳍结构的未被栅极结构覆盖的部分形成凹部，从而暴露氧化物层。在暴露的氧化物层中形成凹槽。外延晶种层在氧化物层中的凹槽中。在凹部中和上面形成外延层。外延层和外延晶种层接触。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：形成包括阱层、所述阱层上方设置的氧化物层和所述氧化物层上方设置的沟道层的鳍结构；形成隔离绝缘层，从而使得所述鳍结构的沟道层从所述隔离绝缘层突出，并且所述氧化物层的至少一部分或所述氧化物层的全部嵌入所述隔离绝缘层中；在所述鳍结构的一部分上方和所述隔离绝缘层上方形成栅极结构；通过蚀刻所述鳍结构的未被所述栅极结构覆盖的部分来形成凹部，从而暴露所述氧化物层；在暴露的氧化物层中形成凹槽；在所述氧化物层中的凹槽中形成外延晶种层；以及在所述凹部中和上面形成外延层，其中，所述外延层与所述外延晶种层接触。