一种发光二极管的外延片及其生长方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、电流扩展层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，量子垒层为GaN层，量子阱层包括依次层叠的In_xGa_1‑xN层、InN层、In_yGa_1‑yN层，0.4＜x＜0.9，0.1＜y＜0.5。本发明利用在InGaN层中插入InN层，提高In量子点的组成，提供更多的辐射复合中心，提高发光二极管的发光效率。

主权项

一种发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子垒层为GaN层，其特征在于，所述量子阱层包括依次层叠的In_xGa_1‑xN层、InN层、In_yGa_1‑yN层，0.4＜x＜0.9，0.1＜y＜0.5。