| 发明名称 | 3D堆叠式芯片封装件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了3D堆叠式芯片封装件，包括第一管芯、第二管芯和沿着第一管芯或第二管芯的侧壁延伸的绝缘膜。第一管芯包括设置在第一半导体衬底上的第一再分布层(RDL)和第一RDL中的导电元件。第二管芯包括设置在第二半导体衬底上的第二RDL，其中第一RDL接合至第二RDL。封装件还包括：通孔，从导电元件延伸穿过第一半导体衬底；和间隔件，介于第一半导体衬底与通孔之间。第一间隔件从导电元件延伸穿过第一半导体衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN106057786A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201510656918.6 | 申请日期 | 2015.10.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;蔡文景;陈明发 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种封装件，包括：第一管芯，包括：第一再分布层(RDL)，设置在第一半导体衬底上；和第一导电元件，位于第一RDL中；第二管芯，包括设置在第二半导体衬底上的第二RDL，其中，所述第一RDL接合至所述第二RDL；绝缘膜，沿着所述第一管芯的侧壁或所述第二管芯的侧壁延伸；第一通孔，从所述第一导电元件延伸穿过所述第一半导体衬底；以及第一间隔件，介于所述第一半导体衬底与所述第一通孔之间，其中，所述第一间隔件从所述第一导电元件延伸穿过所述第一半导体衬底。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||