一种碳化硅衬底的优化方法

摘要

本发明属于晶体生长领域，具体来说涉及一种碳化硅衬底的优化方法。该方法首先在物理气相传输法设备上进行衬底的轻微腐蚀处理，在缺陷处产生凹坑和沟槽；然后在化学气相反应法设备上进行侧向外延生长，填补凹坑和沟槽，封闭衬底缺陷。采用本发明所述的方法，可以对已成型碳化硅衬底中的缺陷进行进一步的减少或者完善，显著减少碳化硅衬底中的缺陷，从而提高衬底质量，进而保证衬底中的微管、位错等缺陷不会被外延层继承，进一步保证了外延层的质量。

主权项

一种碳化硅衬底的优化方法，其特征在于，首先在物理气相传输法设备上进行衬底的轻微腐蚀处理，在缺陷处产生凹坑和沟槽；然后在化学气相反应法设备上进行侧向外延生长，填补凹坑和沟槽，封闭衬底缺陷。