发明名称 |
一种应用于爆炸物传感检测的多孔硅制备工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种应用于爆炸物传感检测的多孔硅制备工艺,将N型多孔硅进行电化学蚀刻和超声处理,用于探测爆炸物,根据制得的微米级和纳米级的光致发光多孔硅,进行爆炸物的传感探测,观察到了光致发光淬灭现象,纳米多孔硅的探测效果更高,与斯特恩‑沃尔默关系图吻合。 |
申请公布号 |
CN106044776A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610591722.8 |
申请日期 |
2016.07.26 |
申请人 |
北京艾泰克科技有限公司 |
发明人 |
郭洪绪;郭志伟;孙洪来;郭延铭 |
分类号 |
C01B33/021(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01N21/63(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/021(2006.01)I |
代理机构 |
南京正联知识产权代理有限公司 32243 |
代理人 |
倪章勇 |
主权项 |
一种应用于爆炸物传感检测的多孔硅制备工艺,其特征在于:包括以下步骤:1)电化学蚀刻和粉碎:在乙醇氢氟酸溶液中,将N型硅片进行阳极蚀刻,制得光致发光多孔硅,在特氟龙容器中进行双电极恒电流蚀刻,制备纳米级多孔硅时,采用高精度恒流电源提供175mA/cm²阳极氧化电流并持续300秒,刻蚀期间需要300w钨丝灯提供照明,制备纳米级多孔硅粒子时,采用高精度恒流电源提供150mA/cm²阳极氧化电流并持续10.908秒,或者400mA/cm²阳极氧化电流并持续0.363秒,分别进行30个循环,刻蚀期间需要300w钨丝灯提供照明;2)钝化处理:将步骤1)中制得的多孔硅样品至于真空舒伦克烧瓶中,用注射器加入1毫升正丁基锂并放置3小时,用注射器取走溶液,将烧瓶至于丙酮和干冰冰浴中冷却,加入3毫升三氯乙酸,然后将烧瓶至于室温下冷却。 |
地址 |
北京市石景山区双园路1号4号楼2O2室 |